突发，周末大消息，涨100%！存储芯片，或要迎超级大周期（附股）

就在周末，存储芯片有一个消息引发市场关注，那就是三星电子在2026年第一季度对NAND闪存的供应价格进行了大幅上调，涨幅或超过100%。
) a! s* O1 h, w: n; A* ^+ f大家要知道，原本市场预计一季度可能涨幅也就是30几，但是现在来了100%，这一调价幅度超市场此前预期。

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更值得注意的是，这并非孤立事件。
- R8 Z1 z" d. n  E就在不久前，市场公开报价显示，DRAM内存价格也上涨近70%。
从种种迹象来看，存储市场正在告别过去以价格战为主导的竞争阶段，正式迈入一个以产能为核心稀缺资源的新周期。
" [, ^4 B: z) m这方面或许值得我们持续跟踪。
供给端，供给无法短期释放
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当前，全球主要存储原厂，包括三星、SK海力士和美光。
虽然整体资本开支有所增加，但新增投资几乎全部聚焦于HBM（高带宽内存）等AI相关高端产品。
HBM作为AI服务器的关键组件，不仅技术门槛高，而且单位容量所消耗的晶圆面积远高于传统DRAM，良率也相对较低。
0 f4 v' A" Q0 d( Z  F为了满足激增的AI算力需求，厂商不得不将大量成熟制程产能转向HBM生产，从而对DDR4、DDR5乃至NAND Flash等常规产品的产能形成“挤出效应”。
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7 r7 K7 ^$ T$ Y+ d9 l; f- o即便现在决定回补传统产能，受限于晶圆厂18-24个月的建设周期，2026年内几乎不可能有实质性新增供给释放。
这意味着，从产业周期判断，全年供给紧张格局或成大概率事件，价格上行趋势存在支撑逻辑。
( M) \" [4 P8 J需求端，AI带来增量需求
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. f$ A! O# r7 g1 u需求侧同样不容小觑。
# t3 G: Q/ ~$ K) x* M2026年，全球头部AI厂家的资本开支预计将继续保持高速增长，其中相当一部分将用于部署新一代AI服务器。

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9 a* X2 }' [/ M5 a' b. _- ~这类服务器对高性能企业级eSSD的需求远高于传统机型，直接拉动NAND市场。
$ W/ p/ ^1 t; J  [0 \' n+ u与此同时，端侧AI的快速演进也在悄然改变消费电子的存储配置逻辑。
以AI手机为代表的智能终端，正逐步提升单机存储容量，为NAND带来潜在的增量空间。
尤其在2026年下半年，随着更多搭载大模型能力的设备上市，这一趋势有望加速兑现。
哪些方向可能会受益
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在这轮由“产能稀缺”驱动的存储周期中，或许：
. \9 t% i  R, _' x9 a0 |: R1、具备先进封装与HBM配套能力的封测厂商
: _9 h5 s. B9 r, N虽然HBM挤占了传统存储产能，但其本身也催生了新的产业链机会。
" j% L' K. ~' C# AHBM依赖2.5D/3D先进封装技术（如CoWoS、TSV等），对封测环节提出更高要求。
" s$ w# i$ g7 w3 x1 {7 Z拥有相关技术储备、且已进入头部原厂或AI芯片客户供应链的封测企业，有望在HBM放量过程中获得收益。
$ A$ d& B2 x. r+ D4 G6 t- B) o% o2、国产存储原厂及模组厂商
- P: k  z+ Z5 D2 }/ C7 v1 H' e尽管全球大厂重心转向HBM，但DDR3/DDR4、SLC NAND、eMMC等成熟制程产品仍广泛应用于工业、汽车、物联网等领域。
2 v7 N0 H& x5 t5 t0 G- [这些“利基型”存储需求稳定，且对价格敏感度较低。
部分国内存储模组厂商凭借灵活的产能调配能力和本地化服务优势，正加速切入这一被国际大厂短期不重视的市场，有望迎来份额提升窗口。
3、存储主控芯片与配套IP供应商
3 u& Z9 W/ @- O0 p4 _NAND涨价不仅影响颗粒本身，也带动SSD主控、eMMC控制器等配套芯片的需求。
尤其在企业级SSD和AI终端设备中，高性能、低延迟的主控芯片成为关键瓶颈。
0 ^1 f& W! R" Q: v& O- U5 N5 h具备自研主控能力或拥有高速接口IP（如PCIe 5.0、UFS 4.0）的芯片设计公司，有望随存储模组升级同步受益。
写在最后
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综合来看，本轮存储芯片行情的核心驱动力或许已从过往的价格弹性，转变为产能的结构性稀缺。
在供给难以快速响应、需求持续扩张的双重作用下，价格上行趋势可能具备较强支撑。

特别声明：以上内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供学术研讨。
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