国产替代刻不容缓,否则永远有被卡脖子风险。核心技术一定要掌握在自己手中,别人有的我也要有,别人能的,我也要能。国产替代核心之一就是光刻机。
, \- f1 u& X% n( g 光刻机用途:
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光刻机是各种芯片制造的核心设备,用于将精细电路图案“刻印”到硅片上,没有高精尖的光刻机,再好的芯片架构也实现不了,光刻机的精度直接决定芯片性能(如7nm/5nm工艺)。, n6 |4 R, c. C
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* K: R7 Z: {8 Q/ a& ]国际光刻机三巨头
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_9 m' _ e! d9 A5 B- ASML(荷兰):全球唯一量产EUV光刻机(支持3nm/2nm制程),DUV市占率80%,整合Cymer光源、蔡司光学,形成技术壁垒。
5 t( p$ i: c9 G9 X& [ - 尼康(日本):中低端DUV主力(ArF支持28nm),布局纳米压印技术。" F6 A9 ^1 j) f' l
- 佳能(日本):主攻低端光刻机(i-line/KrF),探索NIL替代方案。- h! b# ^% B% t5 m- |
国产差距
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* d, E5 R5 X' k) R- 技术代差:上海微电子量产90nm DUV,28nm浸没式在研;ASML EUV支持2nm,技术差距10年以上。1 _6 p I, i7 b% Y( j u: B% d
- 核心部件:国产光源功率仅为ASML 1/5,光学系统精度低(λ/20 vs λ/50),供应链自主率<5%。
3 `5 r) q2 n% u! l8 r1 k4 ` - 市场与研发:ASML年营收1800亿人民币,研发超50亿欧元;国产光刻机营收不足200亿,专利储备仅为4%。
7 y8 t- F4 S5 j$ C - 依赖进口:高端市场严重依赖进口(ASML占全球61.2%份额)。国产化率仅约2.5%,7nm及以下先进制程尚未完全自主量产。
9 ^0 P9 q2 _2 O2 ]% i 光刻机产业链10大核心股票
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; D* q; i4 I' b4 K# K/ J9 K5 g7 y @1. 张江高科(600895)
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! o; q" O m N* U- 亮点:参股上海微电子(国产DUV光刻机龙头),布局28nm浸没式设备,2025年一季度净利润激增147%。& R" J0 H# e+ W- b4 v, s
- 风险:光刻机整机量产进度依赖技术突破,短期业绩波动较大。
6 j8 I7 t3 R o+ U! c* e% D 2. 茂莱光学(688502)
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& ~% R5 p7 M- Q& g. h5 S- 亮点:供应光刻机物镜组,28nm DUV精度达λ/20,替代蔡司部分产品,2025年一季度订单增长120%。
' q, w9 r$ |% E% y& b$ V6 j+ @ - 风险:高端光学器件研发投入高,海外竞争加剧。
5 u5 p q/ }+ b, C E- w/ j 3. 海立股份(600619)
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3 B! B9 x. v! e( @- 亮点:独家提供光刻机温控模块,技术对标ASML,2025年订单增长显著。
" A1 j9 y, _1 m6 p - 风险:业务集中于单一客户,供应链稳定性存潜在风险。
8 t9 W6 O! C! \6 W8 U+ |2 p 4. 福晶科技(002222)5 E; c2 l/ u$ T% A4 |' z, p
" v S9 T% C# G- 亮点:全球LBO/BBO晶体龙头,支撑DUV光源系统,参与EUV研发,2024年净利润增28%。# _5 y- L# A( b# k' l6 k
- 风险:晶体材料技术迭代快,需持续投入研发。
+ Q* I3 Z0 e5 n" j. y$ t$ Q 5. 凯美特气(002549)
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3 F- z- k2 Z( o3 j) K7 Y& B- 亮点:国内唯一ASML认证光刻气供应商,纯度达7N级,2025年一季度净利润暴增11倍。) a+ ?5 u( f1 e0 U
- 风险:需求受晶圆厂扩产节奏影响较大。6 X3 i+ l. Q( e
6. 蓝英装备(300293)5 X; H( N5 a: L8 S
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- 亮点:瑞士子公司UCM AG为ASML提供EUV清洗设备,精度达0.1μm以下,技术全球领先。! X5 P% K/ U1 N. z4 m+ e
- 风险:光刻机业务利润占比低(2022年仅4万元),国产替代进度不确定。' U3 [5 F0 N( P
7. 炬光科技(688167)3 ~( ^! T1 P" W/ S! R
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- 亮点:DUV光刻机光场匀化器核心供应商,2023年订单增长显著,适配中高端制程。
' P, ^9 I5 o7 H# h) k - 风险:EUV技术尚未突破,高端市场依赖进口。. q3 \- {0 \" V/ |( a" P
8. 芯基微装(688630). q4 A5 c( z6 ?6 l/ j- l
7 p2 }! Y# O9 f- 亮点:直写光刻设备主力,PCB设备市占率快速提升,泛半导体领域覆盖先进封装。
" i! z* o/ P p5 r; l* O: ?- N8 T - 风险:国际巨头(如ASML)主导高端市场,竞争压力显著。
3 F, [3 \: W/ m8 D, K 9. 联合光电(300691)+ i% I h6 L1 P: T* J6 }
5 Z0 A+ U8 A; x! }- ~- 亮点:自主研发紫外光刻镜头,分辨率达350nm,子公司联江科技技术突破获关注。4 j: o( R$ ^* T! k U0 G
- 风险:商业化进度待验证,尚未进入主流供应链。
6 G" x! T/ S4 K9 E( g, @ 10. 上海新阳(300236)" z: m% _5 C% J7 w; ^5 ?
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- 亮点:KrF光刻胶批量销售,ArF浸没式产品进入验证,2025年上海化工区产能将达500吨。7 Y& |6 J# p# a
- 风险:高端光刻胶良率提升周期长,短期业绩依赖传统涂料业务(占比56%)。7 Z$ @- l! \- p; S; e6 ]: c
投资逻辑2 ~; Q( H# k+ d& {1 a6 L
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- 技术壁垒:光刻机涉及超精密光学(如EUV反射镜误差需<0.3nm)、高精度机械(双工件台定位误差<2nm)及供应链协同(全球超5000家供应商)。: [" D. r; l* u+ @) |: g% A
- 国产替代路径:从DUV逐步向EUV突破,关注光刻胶(上海新阳)、光学器件(茂莱光学)、清洗设备(蓝英装备)等细分领域。国产光刻机在成熟制程(90nm)已实现量产,但高端EUV技术差距达10-20年。: F3 q- o7 G3 \; ?% j1 L, m7 I2 h
- 政策扶持:国家大基金三期投入3440亿元扶持,目标2030年国产自给率超50%,正加速从“点状突破”向“链式协同”发展。
u* ?4 h9 Z0 \ - 未来可期:光刻机目前处于起步阶段,未来需突破光源、光学系统等“卡脖子”环节,并加速全产业链协同创新。目前仍有波动风险,可按中长期与AI芯片搭配配置。5 [1 n( }; Y' ]! F: J
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2025-7-25光刻机板块 |